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兰红波教授获得一项美国发明专利授权

  时间:2014-06-23   点击数:


  近日,伟德官网收到美国专利商标局的通知:兰红波教授申请的专利“Method And Device For Full Wafer Nanoimprint Lithography”获得美国发明专利授权,专利号:US8,741,199 B2。这是伟德官网首次获得美国发明专利授权。
  在国家自然科学基金“纳米制造的基础研究”重大研究计划、教育部新世纪优秀人才支持计划等项目的资助下,基于该专利,兰红波团队目前已经成功开发了国内首台具有自主知识产权4英寸整片晶圆纳米压印光刻机工程样机,目前正在开展6英寸和m级尺度超大面积纳米压印工艺和装备的研究。大面积纳米压印光刻技术在高亮度LEDs、高清平板显示、高效太阳能电池板、晶圆级光学器件、高密度存储HDD、量子点、石墨烯等众多领域具有广阔的应用前景。

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